99% Aluminiumoxid-Keramik-Wafer-Schalen benutzer definiert 8-Zoll-Aluminiumoxid-Keramik-Waffensubstrate

99% Aluminiumoxid-Keramik-Wafer schalen bestehen aus einem Keramik material aus Aluminium oxid (Al₂ Ogeon) mit einer Reinheit von über99%, Präzisions bearbeitet für den Einsatz in Hoch temperatur-und anspruchs vollen Prozessen zur Unterstützung und zum Transport von Silizium wafern oder anderen Substraten (wie Silizium karbid und Gallium arsenid).

Aluminiumoxid-Keramik-Wafer schalen sind wichtige Präzisions komponenten in High-End-Bereichen wie der Herstellung von Halbleitern, Photovoltaik und Mikro elektronik.

99% Aluminium oxid keramik ist aufgrund seiner überlegenen Gesamt leistung ein bevorzugtes Material für Wafer schalen:

• Extrem hohe Reinheit und chemische Inert heit: Verhindert die Kontamination empfindlicher Wafer bei Hoch temperatur prozessen (wie Diffusion, Oxidation und CVD) und gewähr leistet so die Sauberkeit des Prozesses.
• Aus gezeichnete Hoch temperatur stabilität: Kann kontinuierlich bei Temperaturen über 1600 ° C ohne Verformung oder Ver flüchtig ung betrieben werden, was es besonders für Ultra hoch temperatur prozesse wie Kristall wachstum und Glühen geeignet macht.
• Hervorragende mechanische Festigkeit und Steifigkeit: Kann dem Gewicht des Wafers und wiederholten mechanischen Hoch geschwindigkeit spannungen standhalten und Biegung oder Bruch widerstehen.
• Extrem niedrige Ausgasung srate: In Vakuum-oder Inertgas umgebungen werden fast keine Gasmoleküle freigesetzt, wodurch Störungen der Prozess atmosphäre verhindert werden.
• Gute Wärme schock beständigkeit: Kann schnellen Heiz-und Kühl prozessen standhalten (obwohl etwas schwächer als Aluminium nitrid oder Silizium karbid, erfüllt es im Allgemeinen die meisten Prozess anforderungen).
• Hohe Härte und Verschleiß festigkeit: Glatte Oberfläche, nicht leicht von Partikeln zerkratzt, um die Haltbarkeit zu gewährleisten.
• Aus gezeichnete Isolierung: Vollständig isolierend, geeignet für Prozesse, die eine elektrische Isolierung erfordern.

• Herstellung von Halbleiter chips: Wafer unterstützung in Diffusions öfen, Oxidations öfen und LPCVD (Niederdruck-Chemische Dampf ablagerung).
• Herstellung von Leistungs geräten: Epi taktische Hoch temperatur wachstums-und Glüh prozesse für Halbleiter materialien mit großer Bandlücke wieSilizium karbid(SiC) und Gallium nitrid (GaN).
• Photovoltaik-Industrie: Hochtemperatur-Beschichtungs-und Glüh verfahren für Solarzellen (insbesondere N-Typ-Zellen) wie PERC und TOPCon.
• Herstellung von MEMS (Mikro-Elektro-Mechanische Systeme): Verschiedene Dünnschicht abscheidung-und Ätz prozesse.
• LED-Industrie: Epit axiales Wachstum auf Saphir substraten.

99% Aluminiumoxid-Keramik-Wafer schalen sind die unbesun genen Helden in den Bereichen Halbleiter und High-End-Fertigung. Mit ihrer hervorragenden Hoch temperatur stabilität, chemischen Inert heit und hohen Kosten effizienz sind sie zu einer zuverlässigen Wahl für die Unterstützung kritischer Komponenten in Hoch temperatur prozessen geworden. Obwohl nicht so effizient wie teurere Aluminium nitrid und Silizium karbid in Bezug auf extreme Wärme ableitung und thermische Anpassung, hat ihre umfassende Leistung ihnen den größten Marktanteil gesichert und sie zur Standard-und Universal konfiguration für verschiedene gemachtOfenrohrAusrüstung.