Подносы вафли глинозема 99% керамические изготовленные на заказ субстраты вафли глинозема 8 дюймов керамические

Подносы вафли глинозема 99% керамические сделаны из материала глинозема (Al₂O₃) керамического с очищенностью сверх99%, С прецизионной обработкой для использования в высокотемпературных и сложных процессах для поддержки и транспортировки кремниевых пластин или других подложек (таких как карбид кремния и арсенид галлия).

Подносы вафли глинозема керамические критические компоненты точности в лихэнд полях как производство полупроводника, фотовольтайческих, и микроэлектроники.

Глинозем 99% керамический предпочитаемый материал для подносов вафли должных к своей главной общей характеристике:

• Чрезвычайно высокая чистота и химическая инертность: Предотвращает загрязнение чувствительных пластин во время высокотемпературных процессов (таких как диффузия, окисление и ССЗ), обеспечивая чистоту процесса.
• Превосходная стабильность при высоких температурах: Может работать непрерывно при температурах выше 1600 ° C без деформации или улетучивания, что делает его особенно подходящим для сверхвысокотемпературных процессов, таких как рост кристаллов и отжиг.
• Выдающиеся механические прочность и ригидность: Выдерживает вес пластины и повторяющиеся высокоскоростные механические нагрузки, устойчив к изгибу или поломке.
• Чрезвычайно низкий уровень дегазации: В вакуумных или инертных газовых средах он почти не выделяет молекул газа, предотвращая вмешательство в атмосферу процесса.
• Хорошее сопротивление термального удара: Выдерживает быстрые процессы нагрева и охлаждения (хотя немного слабее, чем нитрид алюминия или карбид кремния, обычно отвечает большинству технологических требований).
• Высокая твердость и износостойкость: Гладкая поверхность, не царапаемая частицами, что обеспечивает долговечность.
• Отличная изоляция: Полностью изолирующий, подходит для процессов, требующих электрической изоляции.

• Производство полупроводниковых чипов: Подставка для пластин в диффузионных печах, окислительных печах и LPCVD (химическое осаждение паров под низким давлением).
• Производство силовых устройств: Высокотемпературные эпитаксиальные процессы роста и отжига для полупроводниковых материалов с широкой запрещенной шириной, таких какКарбид кремния(SiC) и нитрид галлия (GaN).
• Фотоэлектрическая промышленность: Высокотемпературное покрытие и процессы отжига для солнечных элементов (особенно элементов N-типа), таких как PERC и TOPCon.
• Производство MEMS (микро-электро-механических систем): Различные процессы осаждения и травления тонкопленочных материалов.
• Светодиодная промышленность: Эпитаксиальный рост на субстратах сапфира.

Подносы вафли глинозема 99% керамические унсунг герои в полупроводнике и высококачественных полях производства. Благодаря своей превосходной высокотемпературной стабильности, химической инертности и высокой экономической эффективности, они стали надежным выбором для поддержки критических компонентов в высокотемпературных процессах. Хотя они не так эффективны, как более дорогие нитрид алюминия и карбид кремния с точки зрения экстремального рассеивания тепла и теплового согласования, их комплексные характеристики обеспечили им самую большую долю рынка, что делает их стандартной и универсальной конфигурацией для различныхПечная трубаОборудование.